參數(shù)資料
型號： SUP65P04-15
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： P通道40 - V（下局副局長）175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SUP65P04-15
SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71174
S-00831—Rev. A, 01-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-5
0
15
30
45
60
75
0
25
50
75
100
125
150
175
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
10
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
– Case Temperature ( C)
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Safe Operating Area
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
1000
1
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
0.1
10
–
I
D
1 ms
10 s
100 s
T
= 25 C
Single Pulse
100 ms
dc
10 ms
–
I
D
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB65P04-15 P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUP75N03-07 N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUP75N03-04 N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUP75N06-07L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUB75N06-07L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP65P04-15-E3 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP65P06 制造商:TEMIC 制造商全稱:TEMIC Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP65P06-20 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP65P06-20 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P TO-220
SUP65P06-20-E3 功能描述:MOSFET 60V 65A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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