參數(shù)資料
型號: SUP65P04-15-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 500
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 65A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 15 毫歐 @ 30A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.75W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 管件