參數(shù)資料
型號(hào)： SUP15P01-52
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 8-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： P通道8 - V（下局副局長(zhǎng)），175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： SUP15P01-52
SUP/SUB15P01-52
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71085
S-20966
—
Rev. C, 01-Jul-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
)
–
I
30
10
1
V
GS
= 4.5 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
THERMAL RATINGS
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1.0
10.0
Safe Operating Area
1 ms
10 ms
100 ms
dc, 1 s
100 s
0
3
6
9
12
15
18
0
25
50
75
100
125
150
175
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–
4
10
–
3
10
–
2
10
–
1
1
N
T
10
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
–
Case Temperature ( C)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
–
I
0.2
0.1
0.05
0.02
Duty Cycle = 0.5
T
= 25 C
Single Pulse
Limited
by r
DS(on)
Single Pulse
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUP18N15-95-E3 功能描述:MOSFET 150V 18A 88W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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