參數(shù)資料
型號： SUM65N20-30
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： SUM65N20-30
SUM65N20-30
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71702
S-04920
—
Rev. A, 15-Oct-01
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
Avalanche Current vs. Time
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
–
r
D
)
0
180
190
200
210
220
230
240
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
–
Junction Temperature ( C)
t
in
(Sec)
1000
10
0.00001
0.001
0.1
1
0.1
(
I
D
0.01
I
AV
(A) @ T
A
= 150 C
(
V
(
I
D
= 1.0 mA
100
1
0.0001
I
AV
(A) @ T
A
= 25 C
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PDF描述
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