參數(shù)資料
型號(hào)： SUM50UFS
廠商： SOLID STATE DEVICES INC
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.4 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 68K
代理商： SUM50UFS
NOTE: All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: RC0040D
DOC
PACKAGE OUTLINE: Axial
B
C
A
D
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
0.065”
0.165”
B
---
0.300”
C
0.047”
0.053”
D
1.00”
––
PACKAGE OUTLINE: Surface Mount Square Tab
C
B
A
D
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
0.170”
0.180”
B
0.285”
0.325”
C
0.020”
0.030”
D
0.002”
––
Notes:
Consult manufacturing for operating curves.
Solid State Devices, Inc.
14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SUM20UF & UFSMS
thru
SUM50UF & UFSMS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUM25UFSMSTX 0.4 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SUM25UFSMSS 0.4 A, 2500 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SUM35UFTX 0.4 A, 3500 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SUM20UFTX 0.4 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SUM60UFTX 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUM50UFSMS 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:0.4 AMPS 2000 - 5000 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECTIFIER
SUM52N20-39P-E3 功能描述:MOSFET 200V 52A 250W 39mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM55N03-16P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) 175℃ MOSFET
SUM55P06-19L 功能描述:MOSFET 60V 55A 125W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM55P06-19L_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
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