參數資料
型號: SUD50N03-09P-GE3
廠商: Vishay Siliconix
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描述: MOSFET N-CH D-S 30V TO252
標準包裝: 2,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 63A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫歐 @ 20A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V
功率 - 最大: 65.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 帶卷 (TR)