型號: | SUD50N03-09P-GE3 |
廠商: | Vishay Siliconix |
文件頁數: | 2/7頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
標準包裝: | 2,000 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 63A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 9.5 毫歐 @ 20A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2200pF @ 25V |
功率 - 最大: | 65.2W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商設備封裝: | TO-252,(D-Pak) |
包裝: | 帶卷 (TR) |