參數(shù)資料
型號： SUB85N03-04P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： SUB85N03-04P
SUP/SUB85N03-04P
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71241
S-20120
—
Rev. B, 12-Mar-02
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
6
12
18
24
30
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4
8
12
16
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20
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90
120
150
180
0
20
40
60
80
100
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
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60
80
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0
50
100
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0
1
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3
4
5
6
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
V
G
–
g
f
25 C
–
55 C
2, 3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 15 V
I
D
= 85 A
V
GS
= 10 thru 6 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
=
–
55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
I
D
–
Drain Current (A)
5 V
C
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PDF描述
SUP85N03-07P N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUP85N04-04-E3 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUB85N04-04 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUB85N04-04-E3 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUP85N04-04 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
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參數(shù)描述
SUB85N03-04P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N03-07P 功能描述:MOSFET 30V 85A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N03-07P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-03 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-03-E3 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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