參數(shù)資料
型號： SUB75P05-08
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： P通道55 - V（下局副局長），175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 64K
代理商： SUB75P05-08
SUP/SUB75P05-08
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70891
S-99404—Rev. B, 29-Nov-99
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
)
–
I
100
10
1
10
V
GS
= 10 V
I
D
0
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
Avalanche Current vs. Time
40
45
50
55
60
65
70
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
– Junction Temperature ( C)
t
in
(Sec)
1000
10
0.00001
0.001
0.1
1
100
(
I
D
0.01
(
V
(
0.0001
1
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
I
AV
(A) @ T
J
= 25 C
I
AV
(A) @ T
J
= 150 C
1
0.1
I
D
= 250 A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUB85N02-03-E3 功能描述:MOSFET 20V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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