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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STZT5401 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Medium Power Amplifier(高功率PNP硅晶體管) |
| 中文描述： | 中等功率放大器（高功率進(jìn)步黨硅晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | STZT5401 |
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-tab
Mounted on a ceramic substrate area = 30 x 35 x 0.7 mm
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
Thermal Resistance Junction-Collecor Tab Max
62.5
8
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
E
= 0)
Collector-Base
Breakdown Voltage
(IE = 0)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CB
= -120 V
-50
nA
I
EBO
V
EB
= -3 V
-50
nA
V
(BR)CBO
I
C
= -100
μ
A
-160
V
I
C
= -1 mA
-150
V
I
C
= -10
μ
A
-5
V
I
C
= -10 mA I
B
= -1 mA
I
C
= -50 mA I
B
= -5 mA
I
C
= -10 mA I
B
= -1 mA
I
C
= -50 mA I
B
= -5 mA
-0.2
-0.5
V
V
-1
-1
V
V
I
C
= -1 mA V
CE
= -5 V
I
C
= -10 mA V
CE
= -5 V
I
C
= -50 mA V
CE
= -5 V
I
C
= -1 mA V
CE
= -10 V f = 1 KHz
50
60
50
240
h
fe
Small Signal Current
Gain
Transition Frequency
40
200
f
T
I
C
= -10 mA V
CE
= -10 V f = 1 MHz
I
E
= 0 V
CB
= -10 V f = 1 MHz
100
400
MHz
C
CBO
Collector-Base
Capacitance
Noise Figure
6
pF
F
f = 1 KHz
F = 200 Hz R
G
= 1K
I
C
= -0.25 mA V
CE
= -5 V
5
dB
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5 %
STZT5401
2/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SU-A32ATDG-FREQ | CMOS/LVCMOS HF VCXO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STZTA92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SU 06183 | 制造商:RICHCO 功能描述:U CLIP |
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