參數(shù)資料
型號： STY30NA50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
中文描述： N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 48K
代理商： STY30NA50
STY30NA50
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.15
I
EFFICIENT AND RELIABLEMOUNTING
THROUGH CLIP
I
±
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
I
REPETITIVE AVALANCHE TESTED
I
LOW INTRINSIC CAPACITANCE
I
100% AVALANCHE TESTED
I
GATECHARGE MINIMIZED
I
REDUCED THRESHOLD VOLTAGESPREAD
DESCRIPTION
The Max247
package is a new high volume
power package exibiting the same footprint as the
industry standard TO-247, but designed to
accomodate much larger silicon chips, normally
supplied in bigger packages such as TO-264. The
increased die capacity makes the device ideal to
reduce component count in multiple paralleled
designs and save board space with respect to
larger packages.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE
POWERSUPPLIES (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.175
I
D
STY30NA50
500 V
30 A
March 1996
Max247
TM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
500
V
V
DGR
500
V
V
GS
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
30
30
V
I
D
A
I
D
19
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
120
A
P
tot
300
W
Derating Factor
2.4
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
150
1/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STY34NB50F Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:16A; Forward Current:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
STY60NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.033ohm - 60A Max247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
STZT2222A Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝NPN晶體管)
STZT2222 MEDIUM POWER AMPLIFIER
STZTA42 Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8
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參數(shù)描述
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STY60NA20 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 200V - 0.030ohm - 60 A - Max247 FAST POWER MOS TRANSISTOR
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