參數(shù)資料
型號(hào)： STX93003
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)PNP功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 247K
代理商： STX93003
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-Amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
83.3
200
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= -500V
V
CE
= -500V T
j
= 125
o
C
-1
-5
mA
mA
V
(BR)EBO
Emitter Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= -10 mA
-5
-10
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
I
C
= -10 mA
L = 25 mH
-400
V
I
C
= -0.5 A I
B
= -0.1 A
I
C
= -0.35 A I
B
= -50 mA
I
C
= -0.5 A I
B
= -0.1 A
-0.5
-0.5
V
V
-1
V
I
C
= -10 mA V
CE
= -5 V
I
C
= -0.35 A V
CE
= -5 V
I
C
= -1 A V
CE
= -5 V
10
16
4
25
32
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= -0.35 A V
CC
= 125 V
I
B1
= -70 mA I
B2
= 70 mA
T
p
≥
25
μ
s (see Figure 2)
I
C
= -0.5 A I
B1
= -0.1 A
V
BE(off)
= 5 V L = 10 mH
V
clamp
= 300 V (see Figure 1)
1.5
90
2.2
0.1
2.9
ns
μ
s
μ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
400
40
ns
ns
E
sb
Avalanche Energy
L = 4 mH C = 1.8 nF
I
BR
≤
2.5 A 25
o
C < T
C
< 125
o
C
12
mJ
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1.5 %.
STX93003
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STXF-INDART/USB 功能描述:電路內(nèi)置調(diào)試器 In circuit debugger and programmer RoHS:否 制造商:Microchip Technology 產(chǎn)品:In-Circuit Debugger Kits 工具用于評(píng)估:PIC MCUs, dsPIC DSCs 用于:07-00024, AC164113 核心:dsPIC, PIC 接口類型:USB 工作電源電壓:3 V to 5 V
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