參數(shù)資料
型號： STX13003
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： STX13003
STX13003
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
ST13003 SILICON IN TO-92 PACKAGE
I
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
I
VERY HIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
I
ELECTRONIC BALLASTS FOR
FLUORESCENT LIGHTING
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage
Multi Epitaxial Planar technology for high
switching speeds and medium voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintaining the wide RBSOA.
The STX13003 is designed for use in compact
fluorescent lamp application.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 2003
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
Parameter
Value
700
400
V
(BR)EBO
Unit
V
V
V
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0, I
B
= 0.5 A, t
p
< 10
μ
s, T
j
< 150
o
C)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
C
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
1
3
A
A
A
A
W
o
C
o
C
0.5
1.5
1.5
-65 to 150
150
TO-92
1/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STX13005 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STX13005-AP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STX715 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
STX817 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
STY25NA60 N-Channel 600V-0.225Ω-25A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
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參數(shù)描述
STX13003-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13003G 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13003G-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Voltage NPN 700Vces 400Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13004 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13004-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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