型號: | STW75N06 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-247 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 75A條(?。﹟至247 |
文件頁數(shù): | 1/10頁 |
文件大小: | 398K |
代理商: | STW75N06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
STH7N90 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-218; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Capacitance:750pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:180V; Holding Current:50mA |
STH7N90FI | DO-214AA SIDACtor Device |
STH80N05 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-218 |
STH80N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-218VAR |
STW80N05 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-247 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
STW75N20 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW75NF20 | 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW75NF30 | 功能描述:MOSFET N-channel 300 V, 60A II Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW77N65M5 | 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW78N65M5 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 710V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSF N CH 650V 69A TO247 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Power MOSFET Nch MDmesh V,auto,650V 69A |