參數(shù)資料
型號(hào)： STTH8R06G
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： STTH8R06G
STTH8R06
Characteristics
3/12
Figure 1.
Conduction losses versus
average current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
02468
10
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.2
δ = 1
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.5
I
(A)
F(AV)
P(W)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
01
23
45
67
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T = 25°C
(maximum values)
j
T =125°C
(maximum values)
j
T =125°C
(typical values)
j
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220AC, I2PAK,
D2PAK)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
(TO-220FPAC Insulated)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
δ=tp/T
tp
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
Single pulse
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
Single pulse
Figure 5.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
200
400
600
800
1000
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
I =2 x I
FF(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
I =0.25 x I
FF(AV)
V =400V
T =125°C
R
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
0
200
400
600
800
1000
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
V =400V
T =125°C
R
j
I =2 x I
F
F(AV)
I=I
FF(AV)
I =0.5 x I
FF(AV)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH8R06DIRG 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
SU12A100S7 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257
SUF15G 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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SUF15G-E3 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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STTH8R06R 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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