參數(shù)資料
型號： STTH8R06DIRG
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 170K
代理商： STTH8R06DIRG
Characteristics
STTH8R06
2/12
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.16 x IF(AV) + 0.08 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(RMS) Forward current rms
TO-220AC / TO-220FPAC / D2PAK / I2PAK
30
A
TO-220AC Ins.
24
IF(AV)
Average forward current
δ = 0.5
TO-220AC / D2PAK / I2PAK
Tc = 130 °C
8A
TO-220FPAC
Tc = 85 °C
TO-220AC Ins.
Tc = 100 °C
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10ms sinusoidal
80
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value (max)
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC / D2PAK / I2PAK
2.2
°C/W
TO-220FPAC
4.6
TO-220AC Ins.
3.8
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
30
A
Tj = 125 °C
35
400
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 8 A
2.9
V
Tj = 125 °C
1.4
1.8
Table 5.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ Max
Unit
trr
Reverse recovery time
Tj = 25 °C
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A, IR =1 A
25
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s, VR = 30 V
45
IRM
Reverse recovery current
Tj = 125 °C
IF = 8 A, VR = 400 V,
dIF/dt = -200 A/s
5.5
7.2
A
S factor Softness factor
0.3
Qrr
Reverse recovery charges
150
nC
tfr
Forward recovery time
Tj = 25°C
IF = 8 A, dIF/dt = 64 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
150
ns
VFP
Forward recovery voltage
5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SU12A100S7 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257
SUF15G 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SUF15GE3 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SUF15G-E3 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SUM100F 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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參數(shù)描述
STTH8R06FP 功能描述:整流器 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
STTH8R06G 功能描述:整流器 Turbo II Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
STTH8R06GTR 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE, FAST, 8A, 600V, TO-220AC-2, Diode Type:Fast Recovery, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V, Forward Current If(AV):8A, Forward Voltage VF Max:2.9V, Reverse Recovery Time trr Max:45ns, Forward
STTH8R06G-TR 功能描述:整流器 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
STTH8R06GY-TR 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Auto Turbo 2 AECQ101 8A 600V 1.5VF 42ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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