參數(shù)資料
型號(hào)： STTH8R03G
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 8 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： STTH8R03G
STTH8R03G/D
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50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
dIF/dt(A/s)
S factor
IF < 2 x IF(av)
VR=200V
Tj=125°C
Fig. 7:
Softness factor (tb/ta) versus dIF/dt
(typical values).
25
50
75
100
125
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
Tj(°C)
IRM
S factor
Fig.
8:
Relative
variation
of
dynamic
parameters
versus
junction
temperature
(Reference: Tj=125°C).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
dIF/dt(A/s)
VFP(V)
IF=IF(av)
Tj=125°C
Fig. 9: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt (90% confidence).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
50
100
150
200
250
300
dIF/dt(A/s)
tfr(ns)
VFR=1.1 x VF max.
IF=IF(av)
Tj=125°C
Fig. 10: Forward recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
S(cm)
Rth(j-a) (°C/W)
DPAK
Fig. 11:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, copper thickness: 35m)(D
2PAK)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH8R06G 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH8R06DIRG 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
SU12A100S7 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257
SUF15G 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SUF15GE3 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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STTH8R04DI 功能描述:整流器 Recovery Diode Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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