參數資料
型號： STTH803G
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
中文描述： 高頻二次整流
文件頁數： 2/6頁
文件大小： 92K
代理商： STTH803G
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
I
R
*
Reverse leakage
current
V
R
= 300 V
Tj = 25
°
C
20
Tj = 125
°
C
20
200
V
F
**
Forward voltage drop
I
F
= 8 A
Tj = 25
°
C
1.25
V
I
F
= 8 A
Tj = 125
°
C
0.85
1
Pulse test : * tp = 5 ms,
δ
< 2 %
** tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.75 x I
F(AV)
+ 0.031 I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th (j-c)
Parameter
Value
2.5
Unit
°
C/W
Junction to case
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
I
F
= 0.5 A Irr = 0.25 A I
R
= 1 A
Tj = 25
°
C
25
ns
I
F
= 1 A dI
F
/dt = - 50 A/
μ
s V
R
= 30 V
Tj = 25
°
C
35
tfr
I
F
= 8 A dI
F
/dt = 100 A/
μ
s
V
FR
= 1.1 x V
F
max.
Tj = 25
°
C
200
ns
V
FP
Tj = 25
°
C
3.5
V
S
factor
I
RM
Vcc = 200V I
F
= 8 A
dI
F
/dt = 200 A/
μ
s
Tj = 125°C
0.3
-
A
8
RECOVERY CHARACTERISTICS
STTH803D/G
2/6
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PDF描述
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參數描述
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