參數(shù)資料
型號: STTH803D
廠商: 意法半導體
英文描述: HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
中文描述: 高頻二次整流
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 92K
代理商: STTH803D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
6
8
10
12
IF(av) (A)
P1(W)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
Fig. 1:
Conduction losses versus average current.
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
0.1
1.0
10.0
100.0
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=75°C
Fig. 2:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values
).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
trr(ns)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
dIF/dt(A/μs)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dI
F
/dt (90%
confidence).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
dIF/dt(A/μs)
IRM(A)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dI
F
/dt (90% confidence).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
S factor
VR=200V
Tj=125°C
dIF/dt(A/μs)
Fig. 6:
Softness factor versus dI
F
/dt (typical
values).
STTH803D/G
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PDF描述
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