參數資料
型號： STTH60R04W
廠商： 意法半導體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復二極管
文件頁數： 2/7頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： STTH60R04W
Characteristics
STTH60R04
2/7
1
Characteristics
Table 2.
Table 3.
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.9 x I
F(AV)
+ 0.005 x I
F
2
(RMS)
Table 4.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
0.7
°C/W
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
R(1)
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
60
μA
T
j
= 125° C
60
600
V
F(2)
2.
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 60 A
1.5
V
T
j
= 100° C
1.05
1.3
T
j
= 150° C
0.95
1.2
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
t
rr
Reverse recovery time
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -50 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
80
ns
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -100 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
40
55
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
31
45
I
RM
Reverse recovery current
I
F
= 60 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 320 V, T
j
= 125° C
11
16
A
S
Softness factor
I
F
= 60 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 320 V, T
j
= 125° C
0.4
t
fr
Forward recovery time
I
F
= 60 A, dI
F
/dt = 100 A/μs
V
FR
= 1.1 x V
Fmax
, T
j
= 25° C
800
ns
V
FP
Forward recovery voltage
I
F
= 60 A dI
F
/dt = 100 A/μs
T
j
= 25° C
3.2
V
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