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參數(shù)資料
| 型號： | STTH3R04Q |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | STTH3R04Q |
STTH3R04
Characteristics
3/10
Table 5.
Dynamic characteristics (Tj = 25 °C unless otherwise stated)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
35
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
18
25
IRM
Reverse recovery current
IF = 3.0 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 320 V, Tj = 125 °C
45.5
A
tfr
Forward recovery time
IF = 3.0 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
75
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 3.0 A
dIF/dt = 100 A/s
2.5
V
Figure 1.
Conduction losses versus
average forward current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
P(W)
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
IF(AV)(A)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
I
FM(A)
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=25°C
(Maximum values)
T
J=25°C
(Maximum values)
VFM(V)
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to lead versus
pulse duration, DO-15 (epoxy FR4,
copper thickness = 35 m)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration, DO-201AD
(epoxy FR4, copper
thickness = 35 m)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-l)/Rth(j-l)
Single pulse
DO-15
Lleads=10mm
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)/Rth(j-a)
Single pulse
DO-201AD
Lleads=10mm
tP(s)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH3R04RL | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH3R04S | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH3R04 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH3R04U | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH802G | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| STTH3R04RL | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH3R04S | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH3R04U | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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