參數(shù)資料
型號： STTH3R02Q
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 102K
代理商： STTH3R02Q
Characteristics
STTH3R02
4/9
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration - DO-15
(Epoxy printed circuit board FR4,
e
CU
= 35 μm)
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values)
Reverse recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
Figure 5.
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to ambient
versus pulse duration - SMC
(Epoxy printed circuit board FR4,
e
CU
= 35 μm)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)
/R
th(j-a)
Single pulse
DO-15
L
leads
=10mm
t
P
(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)
/R
th(j-a)
Single pulse
SMC
S
cu
=1cm2
t
P
(s)
Figure 7.
Figure 8.
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
Q
RR
(nC)
I
=3A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
Figure 9.
Figure 10.
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
0
10
20
30
40
50
60
10
100
1000
t
RR
(ns)
I
F
=3A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
100
1000
I
RM
(A)
I
F
=3A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
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