參數(shù)資料
型號(hào)： STTH312
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery - 1200 V diode
中文描述： 超快恢復(fù)-型1,200 V二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： STTH312
STTH312
Characteristics
3/8
Dynamic characteristics
Conduction losses versus
average current
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Table 4.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
t
rr
Reverse recovery time
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -50 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
115
ns
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -100 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
55
80
I
RM
Reverse recovery current
I
F
= 3 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 600 V, T
j
= 125° C
9.5
14
A
S
Softness factor
I
F
= 3 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 600 V, T
j
= 125° C
2
t
fr
Forward recovery time
I
F
= 3 A dI
F
/dt = 50 A/μs
V
FR
= 1.5 x V
Fmax
, T
j
= 25° C
350
ns
V
FP
Forward recovery voltage
I
F
= 3 A, dI
F
/dt = 50 A/μs,
T
j
= 25° C
12
V
Figure 1.
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
P(W)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.05
δ
= 1
I
(A)
F(AV)
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T=25°C
j
(maximum values)
T=150°C
(maximum values)
j
T=150°C
(typical values)
Figure 3.
Figure 4.
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
t (s)
Single pulse
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
(A)
RM
dI /dt(A/μs)
I =2 x I
F
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =600V
T=125°C
j
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH312B Ultrafast recovery - 1200 V diode
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STTH3R02Q Ultrafast recovery diode
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參數(shù)描述
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