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參數(shù)資料
| 型號： | STTH3012D |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| 中文描述： | 超快恢復-型1,200 V二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | STTH3012D |
Characteristics
STTH3012
4/9
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Reverse recovery time versus
dI
F
/dt (typical values)
Softness factor versus dI
F
/dt
(typical values)
Figure 3.
Figure 4.
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
t (s)
Single pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
(A)
RM
dI /dt(A/μs)
I =2 x I
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =600V
T=125°C
R
Figure 5.
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
200
300
400
500
600
700
800
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t (ns)
dI /dt(A/μs)
I =2 x I
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =600V
T=125°C
j
R
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q (μC)
I =2 x I
F(AV)
I =0.5 x I
F(AV)
I =I
F
F(AV)
V =600V
T=125°C
R
dI /dt(A/μs)
Figure 7.
Figure 8.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
I
V =600V
R
2xI
T=125°C
j
F
F(AV)
≤
dI /dt(A/μs)
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
S factor
T (°C)
I =I
F
V =600V
R
Reference:T=125°C
F(AV)
t
rr
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