參數(shù)資料
型號(hào)： STTH3006PI
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, DOP3I, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 128K
代理商： STTH3006PI
Characteristics
STTH3006
4/8
Figure 7.
Softness factor versus dIF/dt
(typical values)
Figure 8.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
I2 x I
T =125°C
F
F(AV)
j
≤
V =400V
R
dI /dt(A/s)
F
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
IRM
QRR
S factor
T (°C)
j
I=I
Reference: T =125°C
F
F(AV)
j
V =400V
R
Figure 9.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
Figure 10.
Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure 11.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
100
200
300
400
500
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
100
200
300
400
500
t (ns)
fr
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
10
100
1000
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH3006TPI 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH30R04G 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH61R04TV2 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STVD901J UHF BAND, 4 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SV6125US TVS DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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