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參數(shù)資料
| 型號： | STTH2R02A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Ultrafast recovery diode |
| 中文描述： | 超快恢復(fù)二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | STTH2R02A |
Characteristics
STTH2R02
4/9
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (SMB)
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values)
Reverse recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
Figure 5.
Figure 6.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (DO-15)
0.0
1.E-03
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)
/R
th(j-a)
Single pulse
SMB
S
cu
=1cm2
t
P
(s)
0.0
1.E-03
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)
/R
th(j-a)
Single pulse
DO-15
Lleads=10mm
t
P
(s)
Figure 7.
Figure 8.
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
0
10
20
30
40
50
60
10
100
1000
Q
RR
(nC)
I
F
=2A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
Figure 9.
Figure 10.
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
0
10
20
30
40
50
60
10
100
1000
t
RR
(ns)
I
=2A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
0
1
2
3
4
5
6
10
100
1000
I
RM
(A)
I
=2A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
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