參數資料
型號： STTH200R04TV
廠商： 意法半導體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復二極管
文件頁數： 2/7頁
文件大小： 96K
代理商： STTH200R04TV
Characteristics
STTH200R04TV
2/7
1
Characteristics
Absolute ratings (limiting values per diode at 25° C, unless otherwise specified)
Thermal parameters
When the diodes are used simultaneously:
Δ
T
j(diode1)
= P
(diode1)
x
R
th(j-c)
(per diode) + P
(diode2)
x
R
th(c)
Static electrical characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.8 x I
F(AV)
+ 0.003 x I
F2(RMS)
Table 1.
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
400
V
V
RSM
Non repetitive peak reverse voltage
400
V
I
F(RMS)
RMS forward current
Per diode
150
A
I
F(AV)
Average forward current,
δ
= 0.5
Per diode
T
c
= 80° C
100
A
Per package
T
c
= 65° C
200
A
I
FRM
Repetitive peak forward current
t
p
= 5 μs, F = 1 kHz square
2000
A
I
FSM
Surge non repetitive forward current t
p
= 10 ms Sinusoidal
1000
A
T
stg
Storage temperature range
-65 to + 150
°C
T
j
Maximum operating junction temperature
150
°C
Table 2.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
Per diode
0.50
° C/W
Total
0.30
R
th(c)
Coupling thermal resistance
0.1
Table 3.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
I
R(1)
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
80
μA
T
j
= 125° C
80
800
V
F(2)
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 100 A
1.35
V
T
j
= 100° C
0.95
1.2
T
j
= 150° C
0.87
1.1
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
2.
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