參數(shù)資料
型號： STTH200L06TV
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER
中文描述： 透平2超快高壓整流
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： STTH200L06TV
STTH200L06TV
2/6
Table 4: Thermal Resistance
Symbol
R
th(j-c)
Junction to case
Table 5: Static Electrical Characteristics
(per diode)
Pulse test:
* tp = 5 ms,
δ
< 2%
** tp = 380 μs,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.93 x I
F(AV)
+ 0.0027 I
F2(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics
(per diode)
Parameter
Value (max).
0.60
0.35
0.1
Unit
°C/W
Per diode
Total
R
th(c)
Coupling
°C/W
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj(diode 1) = P(diode 1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
Symbol
I
R
*
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
100
Unit
μA
Reverse leakage current T
j
= 25°C
V
R
= V
RRM
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
100
1000
V
F
**
Forward voltage drop
I
F
= 100A
1.55
V
0.95
1.2
Symbol
t
rr
Parameter
Reverse recovery
time
Test conditions
I
F
= 0.5A Irr = 0.25A I
R
=1A
I
F
= 1A dI
F
/dt = 50 A/μs V
R
=30V
T
j
= 125°C I
F
= 100A V
R
= 400V
dI
F
/dt = 100 A/μs
T
j
= 25°C
I
F
= 100A dI
F
/dt = 200 A/μs
V
FR
= 1.1 x V
Fmax
T
j
= 25°C
I
F
= 100A dI
F
/dt = 200 A/μs
V
FR
= 1.1 x V
Fmax
Min.
Typ Max.
Unit
ns
T
j
= 25°C
80
85
120
I
RM
Reverse recovery
current
15
20
A
t
fr
Forward recovery
time
700
ns
V
FP
Forward recovery
voltage
3.4
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH200L06TV1 TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER
STTH200R04TV Ultrafast recovery diode
STTH200R04TV1 Ultrafast recovery diode
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