參數(shù)資料
型號: STTH2003CF
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
中文描述: 高頻二次整流
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 132K
代理商: STTH2003CF
3/8
STTH2003CT/CG/CF/CR/CFP
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
IF(av) (A)
P1(W)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
Fig. 1:
Conduction losses versus average current
(per diode).
0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50 2.75 3.00
1
10
100
200
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=75°C
Fig. 2:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode
).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 3-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AB
/ D
2
PAK / I
2
PAK)
.
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
20
40
60
80
100
trr(ns)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
dIF/dt(A/μs)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dI
F
/dt (90%
confidence, per diode).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
dIF/dt(A/μs)
IRM(A)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
Fig. 4:
dI
F
/dt (90% confidence, per diode).
Peak reverse recovery current versus
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
tp(s)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 3-2:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
(ISOWATT220AB).
pulse
duration
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH2003CFP HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
STTH2003CG HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
STTH2003CR HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
STTH2003CT HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
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參數(shù)描述
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