參數資料
型號： STTH2002
廠商： 意法半導體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復二極管
文件頁數： 2/10頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： STTH2002
Characteristics
STTH2002
2/10
1
Characteristics
Absolute ratings (limiting values at T
j
= 25° C, unless otherwise specified)
Parameter
Thermal parameters
Static electrical characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.75 x I
F(AV)
+ 0.01 I
F2(RMS)
Table 1.
Symbol
Value
Unit
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
200
V
I
F(RMS)
RMS forward current
35
A
I
F(AV)
Average forward current,
δ
= 0.5
TO-220AC, D
2
PAK
T
c
= 120° C
20
A
TO-220ACins
T
c
= 60° C
I
FSM
Surge non repetitive forward current
t
p
= 10 ms Sinusoidal
175
A
T
stg
Storage temperature range
-65 to + 175
° C
T
j
Maximum operating junction temperature
175
° C
Table 2.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
TO-220AC, D
2
PAK
2.4
° C/W
TO-220ACins
5
Table 3.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
I
R(1)
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
10
μA
T
j
= 125° C
10
100
V
F(2)
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 20 A
1
1.1
V
T
j
= 150° C
0.86
0.95
T
j
= 25° C
I
F
= 25 A
1.15
T
j
= 125° C
0.94
1.05
T
j
= 150° C
0.9
1
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
2.
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PDF描述
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