參數(shù)資料
型號(hào)： STTH1R06A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： STTH1R06A
STTH1R06
Characteristics
Doc ID 10203 Rev 5
5/9
Figure 11. Transient peak forward voltage vs
dI
F/dt (typical values)
Figure 12.
Forward recovery time vs dI
F/dt
(typical values)
Figure 13.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied
(typical values)
Figure 14.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under each lead
Figure 15.
Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under each lead
(epoxy FR4, Cu = 35 m) (SMA)
V
(V)
FP
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
dI /dt(A/s)
F
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
t (ns)
fr
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
I=I
T =125°C
F
F(AV)
j
V
=1.1 x V max.
FR
F
dI /dt(A/s)
F
1
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
12
3
4
56
7
89
10
R
(°C/W)
th(j-a)
S(cm)
DO-41
Lleads = 10mm
SMB
(epoxy FR4, Cu = 35 m) (DO-41, SMB)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
(°C/W)
th(j-a)
S(cm)
SMA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH1R06 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
STTH20002TV1 120 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH2002G 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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STTH2002DI 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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