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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STTH1R04A |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 131K |
| 代理商： | STTH1R04A |
STTH1R04
Characteristics
3/10
Table 5.
Dynamic characteristics (Tj = 25 °C unless otherwise stated)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
30
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25 °C
14
20
IRM
Reverse recovery current
IF = 1 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 320 V, Tj = 125 °C
2.5
3.5
A
tfr
Forward recovery time
IF = 1 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax, Tj = 25 °C
50
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 1 A
dIF/dt = 100 A/s
3.5
V
Figure 1.
Conduction losses versus
average forward current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P(W )
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
IF(AV)(A)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
I
FM(A)
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=25°C
T
J =25°C
(Maximum values)
VFM(V)
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to lead
versus pulse duration (DO-41)
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to lead
versus pulse duration (DO-15)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-l)/Rth(j-l)
Single pulse
DO-41
L
leads=10mm
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-l)/Rth(j-l)
Single pulse
DO-15
Lleads=10mm
tP(s)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1R04Q | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15 |
| STTH1R04U | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| STTH3R04Q | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| STTH3R04RL | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| STTH3R04S | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STTH1R04AY | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應(yīng)商器件封裝:SMA 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STTH1R04Q | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH1R04QRL | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH1R04RL | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH1R04U | 功能描述:整流器 Ultrafast recovery Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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