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參數(shù)資料
| 型號： | STTH1R02_07 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Ultrafast recovery diode |
| 中文描述： | 超快恢復(fù)二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | STTH1R02_07 |
STTH1R02
Characteristics
3/10
Dynamic characteristics
Peak current versus duty cycle
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values)
Table 4.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
t
rr
Reverse recovery time
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -50 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
23
30
ns
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -100 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
15
20
I
RM
Reverse recovery current
I
F
= 1.5 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 160 V, T
j
= 125° C
3
4
A
t
fr
Forward recovery time
I
F
= 1.5 A, dI
F
/dt = 100 A/μs
V
FR
= 1.1 x V
Fmax
, T
j
= 25° C
50
ns
V
FP
Forward recovery voltage
I
F
= 1.5 A, dI
F
/dt = 100 A/μs,
T
j
= 25° C
2.1
V
Figure 1.
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current (typical values)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
M
(A)
T
d
δ
=tp/T
tp
I
M
P = 2 W
P = 1 W
P = 5 W
δ
0
10
20
30
40
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
FM
(A)
T
j
=25°C
T
j
=150°C
V
FM
(V)
Figure 3.
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (SMA)
0
10
20
30
40
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
FM
(A)
T
j
=25°C
T
j
=150°C
V
FM
(V)
0.0
1.E-02
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
Z
th(j-a)
/R
th(j-a)
Single pulse
SMA
S
cu
=1cm2
t
P
(s)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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