參數(shù)資料
型號(hào)： STTH1L06RL
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 110K
代理商： STTH1L06RL
STTH1L06
Characteristics
Doc ID 8321 Rev 4
3/9
Table 5.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
Tj = 25 °C
IF = 1 A, dIF/dt = -50, A/s,
VR = 30 V
55
80
ns
tfr
Forward recovery time
Tj = 25 °C
IF = 1 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 3.5 V
50
ns
VFP
Forward recovery
voltage
Tj = 25 °C
IF = 1 A, dIF/dt = 100 A/s
10
V
Figure 1.
Conduction losses versus
average current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
IF(av)(A)
P(W)
δ = 0.05 δ
= 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VFM(V)
Tj=25°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Typical values)
Tj=150°C
(Typical values)
IFM(A)
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction ambient versus
pulse duration
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction ambient versus
pulse duration
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
tp(s)
Zth(j-a)/Rth(j-a)
T
δ=tp/T
tp
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
DO-41
Lleads = 10mm
epoxy FR4, Lead = 10 mm
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
tp(s)
SMB
Zth(j-a)/Rth(j-a)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
epoxy FR4, S = 1 cm
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PDF描述
STTH1L06U 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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STTH20R04FP 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
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