參數(shù)資料
型號(hào)： STTH16L06CG
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： STTH16L06CG
STTH16L06C
2/8
Table 4: Thermal Resistance
Table 5: Static Electrical Characteristics
Pulse test:
* tp = 5 ms,
δ < 2%
** tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.06 x IF(AV) + 0.036 IF
2
(RMS)
Table 6: Dynamic Characteristics (per diode)
Symbol
Parameter
Value (max).
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AB / D2PAK
Per diode
2.5
°C/W
TO-220FPAB
Per diode
5
TO-220AB / D2PAK
Total
1.6
TO-220FPAB
Total
3.8
Rth(c)
Coupling
TO-220AB / D2PAK
0.7
°C/W
TO-220FPAB
2.5
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
Tj(diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current Tj = 25°C
VR = VRRM
8A
Tj = 150°C
25
240
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 8A
1.8
V
Tj = 150°C
1.05
1.35
Tj = 25°C
IF = 16A
2.08
Tj = 150°C
1.28
1.64
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ Max.
Unit
trr
Reverse recovery
time
Tj = 25°C
IF = 0.5A Irr = 0.25A IR =1A
35
ns
IF = 1A dIF/dt = 50 A/s VR =30V
40
55
IRM
Reverse recovery
current
Tj = 125°C IF = 8A
VR = 400V
dIF/dt = 100 A/s
4.5
6.5
A
tfr
Forward recovery
time
Tj = 25°C
IF = 8A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
200
ns
VFP
Forward recovery
voltage
Tj = 25°C
IF = 8A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
3.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH16L06CT 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STTH1R02U 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
STTH1R02RL 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
STTH1R06A 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
STTH1R06 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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參數(shù)描述
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