參數(shù)資料
型號： STTH1602C
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE
中文描述： 高效超快二極管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 92K
代理商： STTH1602C
STTH1602C
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10
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50
60
70
80
10
100
1000
t(ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
T =25°C
j
T =125°C
j
I =8A
F
V =160V
R
Fig. 6: Reverse recovery time versus dIF/dt
(typical values, per diode).
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10
100
1000
I(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
T =25°C
j
T =125°C
j
I =8A
F
V =160V
R
Fig. 7: Peak reverse recovery current versus dIF/dt
(typical values, per diode).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
IRM
Qrr
T (°C)
j
Q;
rr I
[T ]/Q ;I
[T =125°C]
RM
j
rr RM
j
I =8A
F
V =160V
R
Fig. 8:
Dynamic parameters versus junction
temperature.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
02468
10
12
14
16
18
20
S(Cu)(cm)
R
(°C/W)
th(j-a)
Fig. 9: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, eCU: 35m) for D
2PAK.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
10
100
1000
Q (nC)
rr
dI /dt(A/s)
F
I =8A
F
V =160V
R
T =125°C
j
T =25°C
j
Fig. 5: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(typical values, per diode).
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PDF描述
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