參數(shù)資料
型號(hào)： STTH12012TV2
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery - 1200 V diode
中文描述： 超快恢復(fù)-型1,200 V二極管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： STTH12012TV2
Characteristics
STTH12012TV
2/8
1
Characteristics
Absolute ratings (limiting values per diode at 25° C, unless otherwise specified)
Thermal parameters
When the diodes are used simultaneously:
T
j(diode1)
= P
(diode1)
x
R
th(j-c)
(per diode) + P
(diode2)
x
R
th(c)
Static electrical characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.50 x I
F(AV)
+ 0.0075 I
F2(RMS)
Table 1.
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
1200
V
I
F(RMS)
RMS forward current
150
A
I
F(AV)
Average forward current,
δ
= 0.5
T
c
= 45° C per diode
60
A
I
FRM
Repetitive peak forward current
t
p
= 5 μs, F = 5 kHz square
600
A
I
FSM
Surge non repetitive forward
current
t
p
= 10 ms Sinusoidal
420
A
T
stg
Storage temperature range
-65 to + 150
°C
T
j
Maximum operating junction temperature
150
°C
Table 2.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
Per diode
0.74
°C/W
Total
0.42
R
th(c)
Coupling thermal resistance
0.1
Table 3.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
I
R(1)
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
30
μA
T
j
= 125° C
30
300
V
F(2)
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 60 A
2.25
V
T
j
= 125° C
1.35
2.05
T
j
= 150° C
1.30
1.95
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH12012TV Ultrafast recovery - 1200 V diode
STTH1210 Ultrafast recovery - high voltage diode
STTH1210D Ultrafast recovery - high voltage diode
STTH1210DI Ultrafast recovery - high voltage diode
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參數(shù)描述
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STTH1202FP 功能描述:整流器 ULTRAFAST RECOVERY DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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