參數(shù)資料
型號(hào)： STTH12012TV1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery - 1200 V diode
中文描述： 超快恢復(fù)-型1,200 V二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 130K
代理商： STTH12012TV1
Characteristics
STTH12012TV
4/8
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Reverse recovery time versus
dI
F
/dt (typical values)
Softness factor versus dI
F
/dt
(typical values)
Figure 3.
Figure 4.
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.0
1.E-03
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Single pulse
t (s)
I
(A)
RM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
=600V
T
j
=125°C
I
F
= 2 x I
F(AV)
I
F
= I
F(AV)
I
F
=0.5 x I
F(AV)
dI /dt(A/μs)
Figure 5.
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
t (ns)
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
R
=600V
T
j
=125°C
I
F
=0.5 x I
F(AV)
I
F
= 2 x I
F(AV)
I
F
= I
F(AV
)
dI /dt(A/μs)
Q (μC)
0
2
4
6
8
10
12
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
=0.5 x I
F(AV)
I
F
= I
F(AV)
I
F
= 2 x I
F(AV)
V
R
=600V
T
j
=125°C
dI /dt(A/μs)
Figure 7.
Figure 8.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
S factor
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
= 2 x I
F(AV)
V
=600V
T
j
=125°C
dI /dt(A/μs)
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
S
factor
I
F
= I
V
=600V
Reference: T
j
=125°C
t
RR
T (°C)
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PDF描述
STTH12012TV2 Ultrafast recovery - 1200 V diode
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