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參數(shù)資料
| 型號： | STTH12010TV2 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | STTH12010TV2 |
Characteristics
STTH12010TV
2/8
1
Characteristics
When the diodes are used simultaneously:
Tj(diode1) = P(diode1) x Rth(j-c) (per diode) + P(diode2) x Rth(c)
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.3 x IF(AV) + 0.0067 IF
2
(RMS)
Table 1.
Absolute ratings (limiting values per diode at 25° C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
1000
V
IF(RMS)
RMS forward current
150
A
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
Per diode
Tc = 50° C
60
A
IFRM
Repetitive peak forward current
tp = 5 s, F = 5 kHz square
750
A
IFSM
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms Sinusoidal
400
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 150
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
150
°C
Table 2.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
Per diode
0.80
°C/W
Total
0.45
Rth(c)
Coupling thermal resistance
0.1
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
20
A
Tj = 125° C
20
200
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 60 A
2.0
V
Tj = 100° C
1.40
1.80
Tj = 150° C
1.30
1.70
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH12012TV1 | 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH1210DI | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STTH1210G-TR | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH1210G | 12 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STTH12R06DI | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STTH12012TV | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH12012TV1 | 功能描述:整流器 high voltage diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH12012TV2 | 功能描述:整流器 high voltage diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH1202 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery diode |
| STTH1202D | 功能描述:整流器 ULTRAFAST RECOVERY DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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