參數(shù)資料
型號(hào)： STSJ80N4LLF3
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 40V - 0.0042ヘ - 18A - PowerSO-8⑩ STripFET⑩III Power MOSFET for DC-DC conversion
中文描述： N溝道40V的- 0.0042ヘ- 18A條- PowerSO - 8⑩STripFET⑩三功率MOSFET的DC - DC轉(zhuǎn)換
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 287K
代理商： STSJ80N4LLF3
STSJ80N4LLF3
Electrical characteristics
5/12
Table 5.
Switching times
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on delay time
Rise time
V
DD
= 20V, I
D
= 9A
R
G
= 4.7
, V
GS
= 10V
(see Figure 15)
17
25
ns
ns
t
d(off)
t
f
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 20V, I
D
= 9A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see Figure 15)
62
9
ns
ns
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
18
72
A
A
1.
Pulsed: pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
= 18A , V
GS
= 0
1.2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 18A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 30V, T
j
= 150°C
(see Figure 14)
43
64
3
ns
nC
A
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