參數資料
型號： STS9012
廠商： AUK Corp
英文描述： PNP Silicon Transistor
中文描述： 進步黨硅晶體管
文件頁數： 2/3頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： STS9012
KST-9015-000
2
STS9012
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Ratings
Unit
Collector-Base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
stg
-40
V
Collector-Emitter voltage
-30
V
Emitter-Base voltage
-5
V
Collector current
-500
mA
Emitter current
500
mA
Collector dissipation
625
mW
°
C
°
C
Junction temperature
150
Storage temperature
-55~ 150
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= -35V, I
E
= 0
-
-
-0.1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= -5V, I
C
= 0
-
-
-0.1
μ
A
DC current gain
h
FE
*
V
CE
= -1V, I
C
= -50mA
96
-
246
-
Collector-Emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= -100mA, I
B
= -10mA
-
-0.1
-0.25
V
Base-Emitter voltage
V
BE
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
-
-0.8
-1.0
V
Transistor frequency
f
T
V
CE
= -6V, I
C
= -20mA
150
-
-
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
= -6V, f= 1MHz
-
7
-
pF
* : h
FE
rank / F : 96~135, G : 118~166, H : 144~202, I : 176~246.
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