參數(shù)資料
型號： STS8550
廠商： AUK Corp
英文描述： PNP Silicon Transistor
中文描述： 進步黨硅晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 96K
代理商： STS8550
KST-9013-000
2
STS8550
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Ratings
Unit
Collector-Base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
stg
-30
V
Collector-Emitter voltage
-25
V
Emitter-Base voltage
-6
V
Collector current
-800
mA
Emitter current
800
mA
Collector dissipation
625
mW
°
C
°
C
Junction temperature
150
Storage temperature
-55~ 150
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-Base breakdown voltage
BV
CBO
I
C
= -500
μ
A, I
E
= 0
-30
-
-
V
Collector-Emitter breakdown voltage
BV
CEO
I
C
= -1mA, I
B
= 0
-25
-
-
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= -15V, I
E
= 0
-
-
-50
nA
DC current gain
h
FE
*
V
CE
= -1V, I
C
= -50mA
85
-
300
-
Collector-Emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
-
-
-0.5
V
Base-Emitter voltage
V
BE
V
CE
= -1V, I
C
= -500mA
-
-
-1.2
V
Transition frequency
f
T
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
-
120
-
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
= -10V, I
E
= 0, f= 1MHz
-
19
-
pF
* : h
FE
Rank / B : 85~160, C : 120~200, D : 160~300
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