參數(shù)資料
型號： STS3DPFS40
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： P-CHANNEL 40V - 0.070ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： P通道40V的- 0.070ohm - 3A條的SO - 8 MOSFET的普樂士STripFET肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 53K
代理商： STS3DPFS40
STS3DPFS40
2/6
THERMAL DATA
Rthj-amb
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISESPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
(*)Thermal Resistance Junction-ambient MOSFET
62.5
°
C/W
°
C/W
°
C
°
C
Rthj-amb
(*)Thermal Resistance Junction-ambient SCHOTTKY Maximum
100
T
stg
T
l
Storage Temperature Range
-65 to 150
Junction Temperature
150
(*) Mounted on FR-4 board (Steady State)
Min.
40
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
V
GS
=
±
16 V
1
μ
A
μ
A
nA
10
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 1.5 A
0.070
0.1
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
3
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 1.5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
6
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
1190
pF
Output Capacitance
200
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
56
pF
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PDF描述
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