參數(shù)資料
型號： STPS30L30CR-TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： STPS30L30CR-TR
STPS30L30C
Characteristics
Doc ID 5506 Rev 6
3/9
Figure 2.
Average forward power dissipation
versus average forward current
(per diode)
Figure 3.
Average forward current per diode
versus ambient temperature
(
δ = 0.5)
0
2
4
6
8
101214161820
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=50°C/W
T
δ=tp/T
tp
Tamb(°C)
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 5.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(T )
P
(25°C)
ARM
j
ARM
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration,
(maximum values per diode)
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
IM(A)
Tc=25°C
Tc=110°C
Tc=75°C
t(s)
IM
t
δ=0.5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPS6035CP 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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STTH1R04Q 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15
STTH1R04U 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
STTH3R04Q 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
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參數(shù)描述
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STPS30L30CTPBF_12 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 15 A
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