參數(shù)資料
型號： STPS2045C
廠商： 意法半導體
英文描述： POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 107K
代理商： STPS2045C
STPS2045C
2/8
Table 3: Absolute Ratings
(limiting values, per diode)
Symbol
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
I
F(RMS)
RMS forward voltage
Table 4: Thermal Resistance Parameters
Table 5: Static Electrical Characteristics
(per diode)
Pulse test:
* tp = 380 μs,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.42 x I
F(AV)
+ 0.015 I
F2(RMS)
Parameter
Value
Unit
45
V
30
A
I
F(AV)
Average forward current
δ
= 0.5
TO-220AB /
D
2
PAK / I
2
PAK
T
c
= 155°C Per diode
10
A
TO-220FPAB
T
c
= 125°C Per device
20
I
FSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10ms sinusoidal
180
A
I
RRM
Repetitive peak reverse current
tp = 2μs F = 1kHz
square
1
A
I
RSM
P
ARM
T
stg
T
j
dV/dt
Non repetitive peak reverse current
tp = 100ms square
2
A
Repetitive peak avalanche power
tp = 1μs Tj = 25°C
4000
W
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Maximum operating junction temperature *
175
°C
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/μs
* :
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
Symbol
Parameter
TO-220AB / D
2
PAK / I
2
PAK Per diode
Value
2.2
1.3
4.5
3.5
0.3
2.5
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
Total
Per diode
Total
°C/W
TO-220FPAB
R
th(c)
Coupling
TO-220AB / D
2
PAK / I
2
PAKCoupling
TO-220FPAB
°C/W
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously:
T
j
(diode 1) = P(diode 1) x R
th(j-c)
(per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
Symbol
Parameter
Tests conditions
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Min.
Typ
Max.
100
15
0.57
0.84
0.72
Unit
μA
mA
I
R
*
Reverse leakage current
V
R
= V
RRM
7
V
F
*
Forward voltage drop
I
F
= 10A
0.5
V
I
F
= 20A
0.65
---------------
dTj
(
----------1
a
–
)
<
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PDF描述
STPS2045CF POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS2045 POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS2045CG POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS2045CT POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS2045CG-TR POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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