參數(shù)資料
型號: STPS1L30U
廠商: 意法半導體
英文描述: LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述: 低壓差功率肖特基整流器
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大小: 75K
代理商: STPS1L30U
Symbol
R
th (j-l)
Parameter
Value
30
25
Unit
°
C/W
Junction to lead
SMA
SMB
THERMAL RESISTANCES
Symbol
I
R
*
Parameters
Tests Conditions
Tj = 25
°
C
Tj = 100
°
C
Tj = 25
°
C
Tj = 125
°
C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
200
15
0.395
0.3
0.445
0.375
Unit
μ
A
mA
V
Reverse leakage Current
V
R
= V
RRM
6
V
F
*
Forward Voltage drop
I
F
= 1 A
0.26
I
F
= 2 A
0.325
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Pulse test :
* tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.225 x I
F(AV)
+ 0.075 I
F2(RMS)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current.
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IF(av)(A)
Rth(j-a)=Rth(j-l)
Rth(j-a)=120°C/W
Rth(j-a)=100°C/W
T
δ
=tp/T
tp
Tamb(°C)
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
=0.5).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
2
4
6
8
10
IM(A)
Ta=25°C
Ta=100°C
Ta=50°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 3-1:
Non repetitive surge peak forward cur-
rent versus overload duration (maximum values)
(SMA).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
2
4
6
8
10
IM(A)
Ta=25°C
Ta=100°C
Ta=50°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 3-2:
Non repetitive surge peak forward cur-
rent versus overload duration (maximum values)
(SMB).
STPS1L30A/U
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PDF描述
STPS1L30A LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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