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參數(shù)資料
| 型號： | STPS16L45CT |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 低壓差功率肖特基整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | STPS16L45CT |
STPS16L45CT/CFP
3/5
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
IM(A)
Tc=75°C
Tc=25°C
Tc=125°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig.5-1:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrent
versus overload duration (maximum values per
diode, TO-220AB).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Single pulse
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 6-1:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
(TO-220AB).
pulse
duration
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
2E+2
VR(V)
IR(mA)
Tj=125°C
Tj=75°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Fig. 7:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
VR(V)
C(pF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 8:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values) (per diode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IM(A)
Tc=25°C
Tc=100°C
Tc=50°C
I
M
t
δ
=0.5
t(s)
Fig.5-2:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrent
versus overload duration (maximum values per
diode, TO-220FPAB).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Single pulse
Fig. 6-2:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
(TO-220FPAB).
pulse
duration
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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