參數(shù)資料
型號(hào)： STPS16150CT
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： STPS16150CT
STPS16150CT/CG/CR
2/5
Symbol
R
th (j-c)
Parameter
TO-220AB / D
2
PAK / I
2
PAK
Value
3
1.8
0.6
Unit
°C/W
Junction to case
Per diode
Total
Coupling
R
th (c)
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
TO-220AB / D
2
PAK / I
2
PAK
THERMAL RESISTANCES
Symbol
I
R
*
Parameter
Tests conditions
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Tj = 25
°
C
Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
3.0
4.0
0.92
0.75
1
0.86
Unit
μA
mA
V
Reverse leakage current
V
R
= V
RRM
V
F
**
Forward voltage drop
I
F
= 8 A
I
F
= 8 A
I
F
= 16 A
I
F
= 16 A
0.70
0.8
Pulse test :
* tp = 5 ms,
δ
< 2%
** tp = 380 μs,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.64 x I
F(AV)
+ 0.014 I
F2(RMS)
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
T
δ
=tp/T
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=15°C/W
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
= 0.5, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
p
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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