參數(shù)資料
型號(hào)： STPS15L45CB-TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 低壓差功率肖特基整流器
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 66K
代理商： STPS15L45CB-TR
STPS15L45CB
3/4
0
1.E-03
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t(s)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=125°C
IM(A)
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 5:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values).
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
VR(V)
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=75°C
Tj=50°C
IR(mA)
Fig. 7:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VFM(V)
Tj=25°C
(Maximum values)
(Maximum values)
Tj=125°C
(Typical values)
Tj=125°C
IFM(A)
Fig.9:
Forwardvoltagedropversusforwardcurrent.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
S(cm2)
Rth(j-a)(°C/W)
Fig. 10:
Thermal resistance junction to ambient ver-
sus copper surface under tab (epoxy printed board
FR4, Cu = 35μm).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 6:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0.1
1.0
10.0
1
10
100
VR(V)
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
C(nF)
Fig. 8
Junction capacitance versus reverse voltage
applied (typical values).
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PDF描述
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STPS15LB-TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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