參數資料
型號： STPS10L60
廠商： 意法半導體
英文描述： POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 功率肖特基整流器
文件頁數： 3/5頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： STPS10L60
STPS10L60CF/CFP
3/5
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
IM(A)
I
M
t
δ
=0.5
t(s)
Tc=25°C
Tc=125°C
Tc=75°C
Fig. 5:
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values, per
diode) (ISOWATT220AB, TO-220FPAB).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
tp(s)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 6:
Relative variation of thermal transient
impedance junction to case versus pulse duration.
(ISOWATT220AB, TO-220FPAB).
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
3E+2
IR(mA)
VR(V)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
Tc=125°C
Tc=150°C
Tc=50°C
Fig. 7:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
1
10
100
100
200
500
1000
C(pF)
VR(V)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 8:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
p
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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