參數(shù)資料
型號： STPS10L45CT
廠商： 意法半導體
英文描述： LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 低壓差功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： STPS10L45CT
STPS10L45CT/CG/CF/CFP
3/7
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IM(A)
Tc=25°C
Tc=125°C
Tc=75°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 5-1:
current
values, per diode) (TO-220AB and D
2
PAK).
Non repetitive surge peak forward
versus
overload
duration
(maximum
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Single pulse
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 6-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
(TO-220AB and D
2
PAK).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
IM(A)
Tc=25°C
Tc=125°C
Tc=75°C
I
M
t
δ
=0.5
t(s)
Fig. 5-2:
current
values,
TO-220FPAB).
Non repetitive surge peak forward
versus
overload
duration
per
diode)
(maximum
(ISOWATT220AB,
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Single pulse
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 6-2:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
(ISOWATT220AB, TO-220FPAB).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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